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Lacune énergétique d'une diode semi-conductrice - Expérience (en Francés)
Radhika Ikkurti
(Autor)
·
Editions Notre Savoir
· Tapa Blanda
Lacune énergétique d'une diode semi-conductrice - Expérience (en Francés) - Ikkurti, Radhika
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Reseña del libro "Lacune énergétique d'une diode semi-conductrice - Expérience (en Francés)"
Il donne un bref résumé de la façon dont l'écart énergétique est trouvé et de leurs applications. La densité électronique est bien supérieure à la densité de trous dans le semi-conducteur de type n représenté par ne nh alors que, dans le semi-conducteur de type p, la densité de trous est beaucoup plus grande. supérieure à la densité électronique: nh ne.Dans un semi-conducteur de type n, le niveau d'énergie du donneur est proche de la bande de conduction et éloigné de la bande de valence. Dans le semi-conducteur de type p, le niveau d'énergie de l'accepteur est proche de la bande de valence et éloigné de la bande de conduction.L'impureté ajoutée dans le semi-conducteur de type p fournit des trous supplémentaires appelés atomes accepteurs, tandis que dans le semi-conducteur de type n, l'impureté fournit des électrons supplémentaires appelés atomes donneurs.Le niveau de Fermi du semi-conducteur de type n se situe entre le niveau d'énergie du donneur et la bande de conduction tandis que celui du semi-conducteur de type p se situe entre le niveau d'énergie de l'accepteur et la bande de valence.Dans le semi-conducteur de type p, les porteurs majoritaires se déplacent d'un potentiel supérieur à un potentiel inférieur, contrairement au type n où les porteurs majoritaires se déplacent d'un potentiel inférieur à un potentiel supérieur.
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El libro está escrito en Francés.
La encuadernación de esta edición es Tapa Blanda.
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